100 шт./лот IRFP90N20D IRFP90N20 FP90N20 90N20 TO247 mosfet транзисторы

Тип Описание выбрать всеКатегории Дискретная полупроводниковыеТранзисторы-FETs, мосфеты-одиночныеСерия HEXFET®Упаковка наваломСостояние части активныйFET Тип n-каналТехнология MOSFET (оксид металла)Слив в исходное напряжение (Vdss) 200 вТок-непрерывный слив (Id) при 25 °C 94A (Tc)Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10 вRds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 56A, 10 VVgs (th) (Max) @ Id 5 V @ 250µAЗаряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10 VVgs (макс.) ± 30 вВходная емкость (СНПЧ) (макс) @ Vds 6040pF @ 25 VПолевого транзистора Особенности-Рассеиваемая мощность (макс.) 580 Вт (Tc)Рабочая температура-55 °C ~ 175 °C (TJ)Монтажный Тип со сквозным отверстиемИнформация о поставщике устройство посылка TO-247ACПосылка/чехол для 247-3

100 шт./лот IRFP90N20D IRFP90N20 FP90N20 90N20 TO247 mosfet транзисторы